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參數(shù)資料
| 型號： | SI4896DY |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | N通道80V（D-S）MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | SI4896DY |
Si4896DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71300
S-03950—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
r
D
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
20
40
60
80
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
20
0
15
30
45
60
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0
10
20
30
40
50
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 40 V
I
D
= 10 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0
2
4
6
8
10
I
D
= 10 A
100
10
0.01
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
1
0.1
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4922DY | SPICE Device Model Si4922DY |
| SI4923DY | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4927DY | P-Channel 30-V (D-S) Battery Switch |
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| SI4931DY-E3 | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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