參數(shù)資料
型號： SI4876DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： SI4876DY
Si4876DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71312
S-03950—Rev. C, 26-May-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
140
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2000
4000
6000
8000
0
4
8
12
16
20
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 21 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 2.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
r
D
)
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
1.0
1.2
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0
1
2
3
4
5
1
10
50
I
D
= 21 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 4.5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4886DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
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參數(shù)描述
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SI4876DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 21A 3.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4876DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 21A 3.6W 5.0mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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