參數(shù)資料
型號： SI4845DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 143K
代理商： SI4845DY
Si4845DY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 73415
S-51110—Rev. B, 13-Jun-05
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
0.0
1.3
2.6
3.9
5.2
6.5
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–50.0 –25.0
0.0
25.0
50.0
75.0 100.0 125.0 150.0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
4
8
12
16
20
C
rss
C
oss
C
iss
I
D
= 4 A
V
GS
= 2.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
V
GS
= 4.5 V
r
D
(
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
= 5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4 V
25 C
T
C
= 125 C
–55 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
r
D
–
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 3 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2 V
V
DS
= 5 V
V
DS
= 15 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4848DY N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI4848DY-T1 N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI4850EY N-Channel Reduced Qg, Fast-Switching MOSFET
SI4850EY-E3 N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4850EY-T1 N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
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參數(shù)描述
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SI4848DY-E3 功能描述:MOSFET 150V 3.7A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4848DY-T1 功能描述:MOSFET 150V 3.7A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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