參數(shù)資料
型號(hào)： SI4824DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Asymmetric N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： 不對稱N溝道，降低Qg和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： SI4824DY
Si4824DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70800
S-56946—Rev. C, 23-Nov-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-5
0
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30
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24
28
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–25
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0.035
0.040
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20
30
40
50
60
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1600
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12
18
24
30
0
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20
30
40
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0
1
2
3
4
5
6
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
= 10 thru 5 V
4 V
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
T
C
= 125 C
–55 C
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
C
rss
C
oss
C
iss
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
25 C
3 V
2 V
V
DS
= 15 V
I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 9 A
–
r
D
)
(
–
r
D
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4825DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VDS = -30V; VGS = ± 25V
Si4830DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:18; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:9; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
Si4830ADY Dual N-Ch. mosfet plus Schottky diode;
SI4830DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4834DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Si4825-A10-CS 功能描述:射頻接收器 AM/FM/SW RX,16p SOIC RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:GPS Receiver 封裝 / 箱體:QFN-24 工作頻率:4.092 MHz 工作電源電壓:3.3 V 封裝:Reel
Si4825-A10-CSR 功能描述:射頻接收器 AM/FM/SW RX,16p SOIC RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:GPS Receiver 封裝 / 箱體:QFN-24 工作頻率:4.092 MHz 工作電源電壓:3.3 V 封裝:Reel
SI4825DDY-T1-E3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SI4825DDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 14.9A 5.0W 12.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4825DY 功能描述:MOSFET 30V 11.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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