參數(shù)資料
型號(hào)： SI4824DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Asymmetric N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： 不對(duì)稱N溝道，降低Qg和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 88K
代理商： SI4824DY
Si4824DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70800
S-56946—Rev. C, 23-Nov-98
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
2
1
0.1
0.001
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 125 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
10
–0.95
–0.75
–0.55
–0.35
–0.15
0.05
0.25
0.45
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
P
I
D
= 4.7 A
I
D
= 250 A
V
V
G
40
1
0.4
0.8
1.6
Source-Drain Diode Forward Voltage
–
I
S
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
30
24
18
12
6
0
0
1.2
10
100
600
0.01
600
100
10
1
0.10
0.01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4825DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VDS = -30V; VGS = ± 25V
Si4830DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:18; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:9; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
Si4830ADY Dual N-Ch. mosfet plus Schottky diode;
SI4830DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4834DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Si4825-A10-CS 功能描述:射頻接收器 AM/FM/SW RX,16p SOIC RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:GPS Receiver 封裝 / 箱體:QFN-24 工作頻率:4.092 MHz 工作電源電壓:3.3 V 封裝:Reel
Si4825-A10-CSR 功能描述:射頻接收器 AM/FM/SW RX,16p SOIC RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:GPS Receiver 封裝 / 箱體:QFN-24 工作頻率:4.092 MHz 工作電源電壓:3.3 V 封裝:Reel
SI4825DDY-T1-E3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SI4825DDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 14.9A 5.0W 12.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4825DY 功能描述:MOSFET 30V 11.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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