參數資料
型號： SI4808DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數： 4/5頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： SI4808DY-T1
Si4808DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-4
Document Number: 71157
S-03951—Rev. B, 26-May-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 7.5 A
20
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
0
30
50
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 93 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
100
600
10
10
-1
10
-2
10
-3
相關PDF資料
PDF描述
SI4808DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4818DY-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si4818DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4824DY Asymmetric N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4825DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VDS = -30V; VGS = ± 25V
相關代理商/技術參數
參數描述
SI4808DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4808DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2.0W 22mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4810BDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4810BDY-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4810BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 10A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*