參數(shù)資料
型號： SI4808DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： SI4808DY-T1
Si4808DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71157
S-03951—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
2-3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET
0
4
8
12
16
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
4
8
12
16
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
= 10 thru 4 V
T
C
= 125 C
-55 C
2 V
25 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
3 V
-
r
D
)
0
200
400
600
800
1000
0
6
12
18
24
30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
0.000
0.008
0.016
0.024
0.032
0.040
0
4
8
12
16
20
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.5 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4808DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4818DY-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si4818DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4824DY Asymmetric N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4825DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VDS = -30V; VGS = ± 25V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI4808DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2.0W 22mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4810BDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4810BDY-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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