參數(shù)資料
型號： Si4511DY-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： SI4511DY-E3
Si4511DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
8
Document Number: 72223
S-41496—Rev. B, 09-Aug-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
P-CHANNEL
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Single Pulse
相關PDF資料
PDF描述
Si4511DY-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI4702DY Load Switch with Level-Shift
SI4702DY-T1 Load Switch with Level-Shift
SI4804BDY Dual N-Channel MOSFET; 100% Rg test; PWM optimized;
SI4804DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI4511DY-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
SI4511DY-T1-E3 功能描述:MOSFET +20/-20V +9.6/-6.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4511DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.6/6.2A 2.0W 14.5/33mohm@10/4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4532ADY 功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4532ADY 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL NP SO-8
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