參數(shù)資料
型號(hào)： SI4505DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N- and P-Channel MOSFET
中文描述： N溝道和P溝道MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： SI4505DY
Si4505DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71826
S-20829
—
Rev. A, 17-Jun-02
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
NCHANNEL
10
–
3
10
–
2
1
10
10
–
1
10
–
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
2
1
0.1
0.01
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 85 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si4511DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:18; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:9; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
SI4511DY P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
Si4511DY-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
Si4511DY-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI4702DY Load Switch with Level-Shift
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4505DY-T1 功能描述:MOSFET 30/8V 7.8/5.0A 1.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4505DY-T1-E3 功能描述:MOSFET N/P-CH 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:TrenchFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI4505DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4511DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4511DY_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*