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參數(shù)資料
| 型號： | SI4466DY |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 15000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | SI4466DY |
Si4466DY Rev. A
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=125
o
C/W
T
A
=25
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125
°
C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 13A
V
DS
= 5V
10V
15V
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
R
DS(ON)
Limit
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
V
GS
= 4.5V
SINGLE
PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
oss
C
rss
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SI4466DYT1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
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