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參數(shù)資料
| 型號： | SI4466DY |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 15000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | SI4466DY |
Si4466DY Rev. A
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
20
30
40
50
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 2.0V
3.0V
2.5V
4.5V
0
10
20
30
40
50
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 4.5V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
0
0.006
0.012
0.018
0.024
0.03
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 7.0A
T
J
= 125
o
C
25
o
C
0
10
20
30
40
50
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
DS
= 5V
T
J
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE VOLTAGE (V)
I
S
,
V
GS
= 0
T
J
=125
o
C
25
o
C
125
o
C
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4467DY | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| SI4480DY | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| SI4542D | 30V Complementary PowerTrench MOSFET |
| SI4542DY | 30V Complementary PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SI4466DYT1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
| SI4466DY-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 13.2A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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