參數(shù)資料
型號： SI4462DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道200 -五（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 45K
代理商： SI4462DY
Si4462DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72093
S-22098
—
Rev. A, 02-Dec-02
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-
r
D
)
0
100
200
300
400
0
20
40
60
80
0.5
0.9
1.3
1.7
2.1
2.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
1
2
3
4
5
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 100 V
I
D
= 1.5 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 1.5 A
5
0.1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
1
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PDF描述
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