參數(shù)資料
型號(hào)： SI4450DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： KEYPAD 4 KEY ILLUM ARROW KEYS
中文描述： 8000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： SI4450DY
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125
°
C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0
2
4
6
8
10
0
7
14
21
28
35
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
=8.0A
V
DS
= 12V
24V
48V
0
500
1000
1500
2000
2500
0
6
12
18
24
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
oss
C
rss
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
R
DS(ON)
Limit
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=125
o
C/W
T =25
o
C
S
Si4450DY
Rev A
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Typical Characteristics
(continued)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal Characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
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PDF描述
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SI4450DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 7.5A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4450DY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N REEL 2500
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