參數(shù)資料
型號： SI3973DV-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 55K
代理商： SI3973DV-T1-E3
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
APPLICATIONS
Portable
PA Switch
Load Switch
Si3973DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72337
S-40575—Rev. D, 29-Mar-04
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.087 @ V
GS
=
4.5 V
2.7
12
0.120 @ V
GS
=
2.5 V
2.3
0.165 @ V
GS
=
1.8 V
1.5
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
D2
G2
S1
S2
D1
G1
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Ordering Information: Si3973DV-T1—E3
Marking Code: MBxxx
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
2.7
2.4
T
A
= 70 C
2.2
1.9
A
Pulsed Drain Current
I
DM
7
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.05
0.75
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.15
0.83
W
T
A
= 70 C
0.73
0.53
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec
R
thJA
93
110
Steady State
130
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
75
90
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3983DV Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si3983DV-T1-E3 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4308DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4320DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si4336DY-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3973DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3981DV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3981DV-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3981DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 1.9A 1.08W 185mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3983DV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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