參數(shù)資料
型號(hào)： SI3590DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： N和P溝道30V的（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： SI3590DV
Si3590DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72032
S-21979
—
Rev. A, 04-Nov-02
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
NCHANNEL
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
2
1
0.1
0.01
10
- 3
10
- 2
1
10
600
10
- 1
10
- 4
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 87 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
- 3
10
- 2
1
10
10
- 1
10
- 4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3863DV AB 47C 1#12 46#16 PIN RECP
SI3905DV Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
SI4300DY N-Channel 30-V (D-S), Reduced Qg Fast Switching MOSFET with Schottky Diode
SI4300DY-TI N-Channel 30-V (D-S), Reduced Qg Fast Switching MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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SI3590DV-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
SI3590DV-T1-E3 功能描述:MOSFET N&P-CH 30V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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