參數(shù)資料
型號(hào)： SI3585DV
廠商： Vaishali Semiconductor
英文描述： LEGEND TILES, SET B; RoHS Compliant: Yes
中文描述： N和P溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/7頁
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代理商： SI3585DV
Si3585DV
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71184
S-03512
—
Rev. B, 04-Apr-01
0.00
0.08
0.16
0.24
0.32
0.40
0
1
2
3
4
5
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
)
I
D
= 2.4 A
I
D
= 1 A
1.2
1.5
0.1
1
10
0.00
0.3
0.6
0.9
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
2
1
0.1
0.01
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 87 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.01
0
1
6
8
2
4
10
30
0.1
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
–
0.6
–
0.4
–
0.2
–
0.0
0.2
0.4
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
–
Temperature ( C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3948 Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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