參數(shù)資料
型號(hào)： SI3442
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式的邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： SI3442
Si3442BDV
Vishay Siliconix
Document Number: 72504
S-40424—Rev. C, 15-Mar-04
www.vishay.com
1
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
20
0.057 @ V
GS
= 4.5 V
4.2
0.090 @ V
GS
= 2.5 V
3.4
(1, 2, 5, 6) D
(3) G
(4) S
N-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
Ordering Information:
Si3442BDV-T1—E3
Marking Code:
2Bxxx
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
4.2
3.0
T
A
= 70 C
3.4
2.4
A
Pulsed Drain Current
I
DM
20
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.4
0.72
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.67
0.86
W
T
A
= 70 C
1.07
0.55
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec
R
thJA
75
100
Steady State
120
145
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
70
85
Notes
a.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board, t
5 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3442DV N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI3445ADV P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI3445ADV-T1-E3 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI3445DV P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
SI3447DV P-Channel 1.8V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3442BDV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3442BDV_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3442BDV_09 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3442BDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3442BDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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