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參數(shù)資料
型號： SI3232-FQ
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 85/128頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SLIC PROG DUAL-CH 64TQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 160
功能： 用戶線路接口概念（SLIC）
接口： ISDN
電路數(shù)： 2
電源電壓： 3.13 V ~ 3.47 V
電流 - 電源： 28mA
功率（瓦特）： 280mW
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 64-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 64-TQFP（10x10）
包裝： 托盤
Si3232
6
Preliminary Rev. 0.96
Not
Recommended
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Table 3. Power Supply Characteristics1
(VDD, VDD1–VDD4 = 3.3 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VDD1–VDD4
Supply Current
(Si3232)
IVDD1–IVDD4
Sleep mode, RESET = 0
—
1
—
mA
Open (high impedance)
—
15
—
mA
Active on-hook standby
—
15
—
mA
Forward/reverse active off-hook
ABIAS = 4 mA
—
20
—
mA
Forward/reverse active OHT
OBIAS = 4 mA
—
12 +
ILIM
—
mA
Ringing, VRING =45Vrms,
VBAT = –70 V, Sine Wave, 1 REN load
—28—
mA
VDD Supply
Current (Si3200)
IVDD
Sleep mode, RESET = 0
—
100
—
A
Open (high impedance)
—
100
—
A
Active on-hook standby
—
110
—
A
Forward/reverse active off-hook,
ABIAS = 4 mA, VBAT =–24 V
—110
—
A
Forward/reverse OHT, OBIAS = 4 mA,
VBAT =–70 V
—110
—
A
Ringing, VRING =45Vrms,
VBAT = –70 V, Sine Wave, 7 REN load
—110
—
A
VBAT Supply
Current (Si3200)
IVBAT
Sleep mode, RESET = 0, VBAT =–70 V
—
100
—
A
Open (high impedance), VBAT = –70 V
—
225
—
A
Active on-hook standby, VBAT = –70 V
—
400
—
A
Forward/reverse active off-hook,
ABIAS = 4 mA, VBAT =–24 V
—
4.4 +
ILIM
—mA
Forward/reverse OHT, OBIAS = 4 mA,
VBAT =–70 V
—8.4
—
mA
Ringing, VRING =45Vrms,
VBAT = –70 V, Sine wave, 1 REN load
—6—
mA
Notes:
1. All specifications are for a single channel based on measurements with both channels in the same operating state.
2. See “4.7.4. Ringing Power Considerations” for current and power consumption under other operating conditions.
3. Power consumption does not include additional power required for dc loop feed. Total system power consumption must
include an additional VBAT x ILIM term.
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