參數(shù)資料
型號： SI2311DS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-channel 1.25-W, VGS = 1.8 V MOSFET
中文描述： P溝道1.25瓦，VGS電壓=1.8 VMOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 41K
代理商： SI2311DS
TrenchFET Power MOSFET
Load Switch
Si2311DS
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71813
S-05831—Rev. A, 04-Mar-02
www.vishay.com
1
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.045 @ V
GS
= –4.5 V
0.072 @ V
GS
= –2.5 V
0.120 @ V
GS
= –1.8 V
–3.5
–8
–2.8
–2.0
G
S
D
Top View
2
3
TO-236
(SOT-23)
1
Si2311DS (C1)*
*Marking Code
Parameter
Symbol
5 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–8
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
–3.5
–3.0
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 70 C
I
D
–2.8
–2.4
Pulsed Drain Current
I
DM
I
S
–10
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
–0.8
–0.6
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
0.96
0.71
Maximum Power Dissipation)
a, b
P
D
0.62
0.46
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
100
130
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
140
175
C/W
Maximum Junction-to-Foot (drain)
Steady State
R
thJF
60
75
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
Pulse width limited by maximum junction temperature.
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PDF描述
SI2314EDS N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI2311DS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 3.5A 0.96W 45mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2312 制造商:HTSEMI 制造商全稱:Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 功能描述:20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI2312BDS 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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