參數(shù)資料
型號(hào)： Si1012X
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： N溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： SI1012X
Si1012R/X
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71166
S-02464
—
Rev. A, 25-Oct-00
–
0.3
–
0.2
–
0.1
–
0.0
0.1
0.2
0.3
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 0.25 mA
Threshold Voltage Variance vs. Temperature
V
V
G
T
J
–
Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
I
GSS
vs. Temperature
T
J
–
Temperature ( C)
I
G
–
0
1
2
3
4
5
6
7
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
BV
GSS
vs. Temperature
T
J
–
Temperature ( C)
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (SC-75A)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 833 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
B
G
–
V
GS
= 4.5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1021R Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015 A/B/C; Body Material:Aluminum Alloy; Series:97-3102A; No. of Contacts:10; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle
SI1026X N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI1033X P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI1040X Logic Level P-channel Load switch with Level Shift;
SI1404DH N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI1012X-T1 功能描述:MOSFET 20V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1012X-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1012X-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI1012X-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1013 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240-960 MHz EZRadioPRO Transceiver
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