參數(shù)資料
型號： SGW20N60HS
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： High Speed IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴散核武器條約高高速IGBT的技術(shù)
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 429K
代理商： SGW20N60HS
SGP20N60HS
SGW20N60HS
Power Semiconductors
10
Rev.2 Aug-02
Figure A. Definition of switching times
Figure B. Definition of switching losses
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure E. Dynamic test circuit
Leakage inductance
L
σ
=60nH
and Stray capacity
C
σ
=40pF.
Published by
Infineon Technologies AG
,
相關PDF資料
PDF描述
SGP30N60HS HIGHT SPEED IGBT CHIP IN NPT-TECHNOLOGY
SGQ1553-1 MILITARY/AEROSPACE PRODUCTS
SGQ1553-2 MILITARY/AEROSPACE PRODUCTS
SGQ1553-3 MILITARY/AEROSPACE PRODUCTS
SGQ1553-45 MILITARY/AEROSPACE PRODUCTS
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW20N60HSFKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 36A 178W TO247-3
SGW20N60RUF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGW20N60RUFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/ 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW20N60XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247
SGW23N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*