參數(shù)資料
型號(hào)： SGW15N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大小： 414K
代理商： SGW15N120
Preliminary
SGW15N120
SGP15N120, SGB15N120
Power Semiconductors
11
Mar-00
Figure A. Definition of switching times
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di
/dt
r r
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure B. Definition of switching losses
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PDF描述
SGB15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
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參數(shù)描述
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SGW15N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW15N60FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 31A 139W TO247-3
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SGW15N60RUFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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