參數(shù)資料
型號(hào)： SGP30N60
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴(kuò)散核武器條約快速I(mǎi)GBT技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 425K
代理商： SGP30N60
SGP30N60,
SGB30N60
SGW30N60
6
Jul-02
t
,
S
10A
20A
30A
40A
50A
60A
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
t
,
S
0
10
20
30
40
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 9. Typical switching times as a
function of collector current
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 11
,
Dynamic test circuit in Figure E)
R
G
,
GATE RESISTOR
Figure
10. Typical switching times as a
function of gate resistor
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 30A,
Dynamic test circuit in Figure E)
t
,
S
0°C
50°C
100°C
150°C
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
V
G
,
G
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V
5.5V
typ.
min.
max.
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure
11. Typical switching times as a
function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 30A,
R
G
= 11
,
Dynamic test circuit in Figure E)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure
12. Gate-emitter threshold voltage
as a function of junction temperature
(
I
C
= 0.7mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGB30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW30N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGD-100T C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SGD-100 GaAs Schottky Barrier Diode（C to X Band, Mixer, Modulator Applications）(應(yīng)用于C到X帶寬，混頻器和調(diào)制器的砷化鎵肖特基勢(shì)壘二極管)
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