參數(shù)資料
型號(hào)： SGP15N60RUFTU
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 24 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 620K
代理商： SGP15N60RUFTU
2000 Fairchild Semiconductor International
SGP15N60RUF Rev. A
S
G
P15N60RUF
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. VGE
Fig 6. Saturation Voltage vs. VGE
02
4
6
8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
20V
12V
15V
V
GE = 10V
Common Emitter
T
C = 25
℃
C
o
llect
o
rC
u
rr
en
t,
I C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
110
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Common Emitter
V
GE = 15V
T
C =
25℃ ━━
T
C = 125
℃ ------
C
o
llec
to
rC
u
rre
n
t,
I
C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
-50
0
50
100
150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
30A
15A
I
C = 8A
Common Emitter
V
GE = 15V
Col
le
c
tor
-Em
itter
Vo
lt
age,
V
CE
[V
]
Case Temperature, T
C [
℃]
04
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 25
℃
30A
15A
I
C = 7A
Col
le
c
to
r-
Em
it
te
r
Vo
lt
ag
e
,V
CE
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
0
4
8
121620
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 125
℃
30A
15A
I
C = 7A
Co
lle
c
tor
-
E
m
itter
Vo
lt
age,
V
CE
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
0
4
8
12
16
20
24
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C = 100
℃
Power Dissipation = 25W
V
CC = 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
Lo
ad
C
u
rr
e
n
t
[A
]
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PDF描述
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