參數(shù)資料
型號(hào)： SGP15N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 414K
代理商： SGP15N120
Preliminary
SGW15N120
SGP15N120, SGB15N120
Power Semiconductors
6
Mar-00
t
,
S
0A
10A
20A
30A
40A
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
t
,
S
0
25
50
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 9. Typical switching times as a
function of collector current
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 33
)
R
G
,
GATE RESISTOR
Figure 10. Typical switching times as a
function of gate resistor
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 15A)
t
,
S
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
10ns
100ns
1000ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
V
G
,
G
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
typ.
min.
max.
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 11. Typical switching times as a
function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 15A,
R
G
= 33
)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Gate-emitter threshold voltage
as a function of junction temperature
(
I
C
= 0.3mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW15N120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
SGB15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGE2641-3 high voltage transformer for CCFL inverter power supply
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參數(shù)描述
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