參數(shù)資料
型號： SGP15N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 414K
代理商： SGP15N120
Preliminary
SGW15N120
SGP15N120, SGB15N120
Power Semiconductors
3
Mar-00
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
18
23
580
22
1.1
0.8
1.9
24
30
750
29
1.5
1.1
2.6
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=800V,
I
C
=15A,
V
GE
=15V/0V,
R
G
=33
,
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
t
d(on)
-
38
46
Rise time
t
r
-
30
36
Turn-off delay time
t
d(off)
-
652
780
Fall time
t
f
-
31
37
ns
Turn-on energy
E
on
-
1.9
2.3
Turn-off energy
E
off
-
1.5
2.0
Total switching energy
E
ts
T
j
=150
°
C
V
CC
=800V,
I
C
=15A,
V
GE
=15V/0V,
R
G
=33
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
-
3.4
4.3
mJ
相關PDF資料
PDF描述
SGW15N120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
SGB15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGE2641-3 high voltage transformer for CCFL inverter power supply
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGP15N120_09 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
SGP15N120XK 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220
SGP15N120XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 1200V 30A 198W TO220-3
SGP15N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGP15N60_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*