參數(shù)資料
型號： SGL60N90DG3
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Wide Noise Immunity IGBT(抗噪聲絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 60 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 385K
代理商： SGL60N90DG3
2000 Fairchild Semiconductor International
SGL60N90DG3 Rev. A
S
Fig 14. Reverse Recovery Characteristics
vs. di/dt
Fig 13. Forward Characteristics
Fig 15. Reverse Recovery Characteristics vs.
Forward Current
Fig 16. Reverse Current vs. Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
Forward Voltage, V
FM
[V]
1.5
2.0
2.5
3.0
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 100
℃
------
F
F
0
40
80
120
160
200
240
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
rr
t
rr
I
F
= 60A
T
C
= 25
℃
di/dt [A/
]
R
r
0
20
40
60
80
100
120
R
r
Fig 17. Junction capacitance
0
300
600
900
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 150
℃
------
R
R
Reverse Voltage, V
R
[V]
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
250
T
C
= 25
℃
C
j
Reverse Voltage, V
R
[V]
10
20
30
40
50
60
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
rr
t
rr
Forward Current, I
F
[A]
R
r
0
2
4
6
8
10
12
14
16
di/dt = -20A/
T
C
= 25
℃
R
r
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