參數(shù)資料
型號(hào)： SGL60N90DG3
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Wide Noise Immunity IGBT(抗噪聲絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 60 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 385K
代理商： SGL60N90DG3
2000 Fairchild Semiconductor International
SGL60N90DG3 Rev. A
S
Electrical Characteristics of IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
900
--
--
--
--
--
--
V
1.0
± 500
mA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 60mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 10A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 60A
,
V
GE
= 15V
4.0
--
--
5.0
1.4
2.0
7.0
1.8
2.7
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
=10V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
6500
250
220
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
Q
g
Total Gate Charge
Q
ge
Gate-Emitter Charge
Q
gc
Gate-Collector Charge
V
CC
= 600 V, I
C
= 60A,
R
G
= 51
, V
GE
=15V,
Resistive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
250
450
450
250
260
70
60
400
700
700
400
300
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
CE
= 600 V, I
C
= 60A,
V
GE
= 15V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
Typ.
1.2
1.75
1.2
0.05
Max.
1.7
2.0
1.5
2
Units
V
V
us
uA
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 15A
I
F
= 60A
I
F
= 60A di/dt = 20 A/us
V
RRM
= 900V
t
rr
I
R
Diode Reverse Recovery Time
Instantaneous Reverse Current
--
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL60N90D IGBT CO-PAK (High Speed Switching Low Saturation Voltage High Input Impedance)
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參數(shù)描述
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SGL60N90DG3TU 功能描述:IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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