參數(shù)資料
型號: SGH40N60
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: Ultra-Fast IGBT
中文描述: 超快速IGBT
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大?。?/td> 547K
代理商: SGH40N60
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SGH40N60UF Rev. A1
S
Package Dimension
15.60
±
0.20
4.80
±
0.20
13.60
±
0.20
9.60
±
0.20
2.00
±
0.20
3.00
±
0.20
1.00
±
0.20
1.40
±
0.20
3.20
±
0.10
3
±
0
1
±
0
3
±
0
1
±
0
1
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
1.50
+0.15
–0.05
0.60
+0.15
–0.05
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
TO-3P
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGH40N60UFD 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
SGH40N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGH5N120RUFD CAP-IDC 1UF 6.3V 20% X5R SMD-0508 8-TERM PLATED-NI/SN TR-7 LOW-IND
SGH5N120RUF Short Circuit Rated IGBT
SGH80N60UFD 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGH40N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGH40N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGH40N60UFDM1TU 功能描述:IGBT 晶體管 600V/20A/WFRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGH40N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGH40N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube