參數(shù)資料
型號(hào)： SGH40N60
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Ultra-Fast IGBT
中文描述： 超快速IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 547K
代理商： SGH40N60
SGH40N60UF Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
1
10
100
200
50
100
1000
2000
Eon
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
100
200
20
100
1000
Toff
Tf
Tf
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
100
200
10
100
300
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
Ton
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
10
15
20
25
30
35
40
20
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 10
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
1
10
30
0
500
1000
1500
2000
2500
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
10
15
20
25
30
35
40
10
100
200
Ton
Tr
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 10
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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