參數(shù)資料
型號(hào): SGH25N120RUF
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Short Circuit Rated IGBT
中文描述: 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 6/7頁(yè)
文件大小: 499K
代理商: SGH25N120RUF
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGH25N120RUF Rev. A1
S
Package Dimension
15.60
±
0.20
4.80
±
0.20
13.60
±
0.20
9.60
±
0.20
2.00
±
0.20
3.00
±
0.20
1.00
±
0.20
1.40
±
0.20
3.20
±
0.10
3
±
0
1
±
0
3
±
0
1
±
0
1
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
1.50
+0.15
–0.05
0.60
+0.15
–0.05
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
TO-3P (FS PKG CODE AF)
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGH30N60RUFD Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGH40N60 Ultra-Fast IGBT
SGH40N60UFD 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
SGH40N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGH5N120RUFD CAP-IDC 1UF 6.3V 20% X5R SMD-0508 8-TERM PLATED-NI/SN TR-7 LOW-IND
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGH25N120RUFTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGH30N60RUF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGH30N60RUFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGH30N60RUFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGH30N60RUFTU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube