參數(shù)資料
型號： SGH20N60RUF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 541K
代理商： SGH20N60RUF
SGH20N60RUF Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
1
10
0
400
800
1200
1600
2000
2400
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
100
10
100
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Ton
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
100
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
100
100
1000
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
15
20
25
30
35
40
10
100
Ton
Tr
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 10
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Collector Current, I
C
[A]
10
15
20
25
30
35
40
100
1000
Tf
Toff
Toff
Tf
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 10
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Collector Current, I
C
[A]
相關PDF資料
PDF描述
SGH30N60RUF Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:2200pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Features:Feedthru; Leaded Process Compatible:Yes
SGL20N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL30N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL60N98D CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGP10N60RUF Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SGH20N60RUFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGH20N60RUFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGH20N60RUFTU 功能描述:IGBT 晶體管 600V/20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGH23N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-CHANNEL IGBT
SGH23N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*