參數(shù)資料
型號(hào)： SGH20N60RUF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 541K
代理商： SGH20N60RUF
SGH20N60RUF Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
10
20
30
40
50
60
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
0
10
20
30
40
50
60
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
-50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
20A
40A
30A
I
C
= 10A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0
4
8
12
16
20
24
28
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C
= 100
℃
Power Dissipation = 32W
V
CC
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
L
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
40A
20A
I
C
= 10A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
40A
20A
I
C
= 10A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
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PDF描述
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