參數(shù)資料
型號： SGH20N120RUF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 505K
代理商： SGH20N120RUF
SGH20N120RUF Rev. B2
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
140
20V
17V
15V
12V
V
GE
= 10V
T
C
= 25
℃
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
25
50
75
100
125
150
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
Common Emitter
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
32A
C
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
40A
20A
I
C
= 10A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
40A
20A
I
C
= 10A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
V
CC
= 600V
Load Current : peak of square wave
Duty cycle : 50%
T
C
= 100
℃
Power Dissipation = 45W
L
Frequency [KHz]
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PDF描述
SGH20N120RUFD CAP CERM 1UF 4V X7R 0508 20%
SGH20N60RUF Short Circuit Rated IGBT
SGH30N60RUF Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:2200pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Features:Feedthru; Leaded Process Compatible:Yes
SGL20N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
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