參數(shù)資料
型號(hào)： SGF40N60UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 555K
代理商： SGF40N60UF
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGF40N60UF Rev. A
S
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
Rectangular Pulse Duration [sec]
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
500
Safe Operating Area
V
GE
=20V, T
C
=100
o
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
×
Zthjc + T
C
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
0
30
60
90
120
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
CC
= 100 V
Common Emitter
R
L
= 15
T
C
= 25
℃
G
G
Gate Charge, Q
g
[ nC ]
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
3000
Eoff
Eon
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 10
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
500
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
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