參數(shù)資料
型號： SGF40N60
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： High Speed Switching
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文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： SGF40N60
Fig.12 Typical Forward Voltage Drop
vs. Forward Current
Fig.13 Typical Reverse Recovery Time
vs. di/dt
Fig.14 Typical Reverse Recovery Current
vs. di/dt
Fig.15 Typical Stored Charge vs. di/dt
100
1000
40
60
80
100
V
R
= 200V
I
F
= 15A
Tc = 25
&
Tc = 100
&
T
-di/dt [A/us]
100
1000
1
10
100
V
R
= 200V
I
F
= 15A
Tc = 100
&
Tc = 25
&
I
-di/dt [A/us]
100
1000
0
100
200
300
400
500
600
700
800
V
R
= 200V
I
F
= 15A
Tc = 25
&
Tc = 100
&
Q
-di/dt [A/us]
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Tc = 100
&
Tc = 25
&
Forward Voltage Drop V
F
[V]
F
F
SGF40N60UFD
CO-PAK IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGF80N60UFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGF80N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGH10N120RUF Short Circuit Rated IGBT
SGH10N120RUFD Short Circuit Rated IGBT
SGH10N60RUFD Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGF40N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGF40N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Speed Switching
SGF40N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF-51T-5 制造商:JST Manufacturing 功能描述:Bullet Terminal 14-20AWG F 17.5mm Tin Reel
SGF5N150UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description
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