參數(shù)資料
型號(hào)： SGF23N60UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 607K
代理商： SGF23N60UF
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGF23N60UFD Rev. A
S
4
8
12
16
20
24
50
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 23
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
4
8
12
16
20
24
10
100
200
Ton
Tr
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 23
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
1
10
100
200
30
100
1000
Eon
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 12A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
100
200
50
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 12A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
100
200
10
100
200
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 12A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
Ton
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
30
0
200
400
600
800
1000
1200
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
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