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參數(shù)資料
| 型號： | SGF15N90D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | General Description |
| 中文描述： | 15 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 365K |
| 代理商： | SGF15N90D |
SGF15N90D Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Electrical Characteristics of the IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Collector Cut-off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250
μ
A
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
900
--
--
--
--
--
--
V
1.0
±
500
mA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 15mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 2.5A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 15A
,
V
GE
= 15V
4.0
--
--
5.0
1.4
2.0
7.0
1.8
2.7
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
=10V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
1500
80
50
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
Q
g
Total Gate Charge
Q
ge
Gate-Emitter Charge
Q
gc
Gate-Collector Charge
V
CC
= 600 V, I
C
= 15A,
R
G
= 51
, V
GE
= 15V,
Resistive Load, T
C
25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
50
180
150
200
60
15
20
80
280
230
320
80
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
CE
= 600 V, I
C
= 15A,
V
GE
= 15V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
Typ.
1.1
1.45
0.8
0.03
Max.
1.6
1.7
1.2
1.2
Units
V
V
us
uA
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 4A
I
F
= 15A
I
F
= 15A, di/dt = 20 A/
μ
s
V
RRM
= 900V
t
rr
I
R
Diode Reverse Recovery Time
Instantaneous Reverse Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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