參數(shù)資料
型號(hào)： SGF15N60RUFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 24 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 681K
代理商： SGF15N60RUFD
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
SGF15N60RUFD Rev. A
S
Electrical Characteristics of the IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B
VCES
/
T
J
Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
600
--
--
V
Temperature Coefficient of Breakdown
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
--
--
250
± 100
uA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 15mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 15A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 24A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
--
6.0
2.2
2.5
8.5
2.8
--
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
948
101
33
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
V
CC
= 300 V, I
C
= 15A,
R
G
= 13
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
17
33
44
118
320
356
676
20
34
48
212
340
695
1035
--
--
65
200
--
--
950
--
--
70
350
--
--
1450
ns
ns
nS
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
V
= 300 V, I
C
= 15A,
R
G
= 13
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
T
sc
Short Circuit Withstand Time
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
@
T
C
= 100
°
C
10
--
--
us
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
Internal Emitter Inductance
V
CE
= 300 V, I
C
= 15A,
V
GE
= 15V
--
--
--
--
42
7
17
14
60
10
24
--
nC
nC
nC
nH
Measured 5mm from PKG
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
--
--
--
--
Typ.
1.4
1.3
50
74
4.5
6.5
80
220
Max.
1.7
--
95
--
6.0
--
180
--
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 15A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 15A,
di/dt = 200 A/us
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery
Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGF15N90D General Description
SGF23N60UFD 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
SGF23N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGF30N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGF40N60UFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGF15N60RUFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/w/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF15N90D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description
SGF15N90DTU 功能描述:IGBT 晶體管 900V/15A/w/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF20N40LTF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
SGF-21T-5 功能描述:CONN RECEPT 18-22AWG BULLET RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> 端子 - 套管，錐形 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Obsolescence 10/Mar/2010 RoHS指令信息:0002051107 Cert of Compliance 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:Claspcon™ 端子類型:母型，插座（插口） 直徑 - 桶狀:0.054"（1.37mm） 線規(guī):18-24 AWG 長(zhǎng)度 - 總體:0.450"（11.43mm） 長(zhǎng)度 - 桶狀:0.264"（6.71mm） 絕緣體:非絕緣 端子:壓接 特點(diǎn):- 端子材料:黃銅 端子表面涂層:錫 顏色:- 包裝:散裝 絕緣體直徑:0.031"（0.79mm） 材料 - 絕緣體:- 相關(guān)產(chǎn)品:WM18730-ND - TOOL HAND CRIMPER 10-22AWG 其它名稱:0002-05-11070002-05-1107-C00020511070002051107-C02-05-1107-C0205110702051107-C
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