參數(shù)資料
型號(hào)： SGB15N60HS
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： High Speed IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴(kuò)散核武器條約高高速IGBT的技術(shù)
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 325K
代理商： SGB15N60HS
^
SGB15N60HS
Power Semiconductors
6
Rev 2.1 Jan 05
t
S
0A
10A
20A
1ns
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
t
S
0
10
R
G
,
GATE RESISTOR
20
30
40
1 ns
10 ns
100 ns
t
f
t
r
t
d(off)
t
d(on)
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 9. Typical switching times as a
function of collector current
(inductive load,
T
J
=150°C,
V
CE
=400V, V
GE
=0/15V,
R
G
=23
,
Dynamic test circuit in Figure E)
Figure 10. Typical switching times as a
function of gate resistor
(inductive load,
T
J
=150°C,
V
CE
=400V, V
GE
=0/15V,
I
C
=15A,
Dynamic test circuit in Figure E)
t
S
0°C
50°C
100°C
150°C
10ns
100ns
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
V
G
)
,
G
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
1,5V
2,0V
2,5V
3,0V
3,5V
4,0V
4,5V
5,0V
min.
typ.
max.
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 11. Typical switching times as a
function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
=400V,
V
GE
=0/15V,
I
C
=15A,
R
G
=23
,
Dynamic test circuit in Figure E)
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Gate-emitter threshold voltage as
a function of junction temperature
(
I
C
= 0.5mA)
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PDF描述
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