參數(shù)資料
型號(hào): SFH425
廠商: SIEMENS A G
元件分類: 紅外LED
英文描述: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
中文描述: 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 48K
代理商: SFH425
Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
G
GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
G
Gute Linearitt (
I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strmen
G
Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb mglich
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Hohe Impulsbelastbarkeit
G
Oberflchenmontage geeignet
G
Gegurtet lieferbar
G
SFH 420 Gehusegleich mit SFH 320/421
SFH 425 Gehusegleich mit SFH 325/426
G
SFH 425: Nur für IR-Reflow-Ltung geeignet.
Bei Schwalltung wenden Sie sich bitte an uns.
Features
G
Very highly efficient GaAs-LED
G
Good Linearity (
I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
G
DC (with modulation) or pulsed operations
are possible
G
High reliability
G
High pulse handling capability
G
Suitable for surface mounting (SMT)
G
Available on tape and reel
G
SFH 420 same package as SFH 320/421
SFH 425 same package as SFH 325/426
G
SFH 425: Suitable only for IR-reflow
soldering. In case of dip soldering, please
contact us first.
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehuse
GaAs Infrared Emitter in SMT Package
SFH 420
SFH 425
Ma
β
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GPL06880
1.1
0.9
2.54
spacing
(2.4)
2
2
4
3
(2.85)
0
4.2
3.8
(
3
3
(R1)
Collector/Cathode marking
Cathode/
Collector
Anode/
Emitter
f
f
GPL06724
(typ)
0.7
0.9
1.7
2.1
0.12
Cathode/Collector
0.18
0
1
3
3
0.4
0.6
2.6
2.3
3.0
2.1
Cathode/Collector marking
Approx. weight 0.03 g
3
3
2
0.8
0.6
0.1
SFH 420 TOPLED
SFH 425 SIDELED
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