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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SFH420 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package |
| 中文描述： | 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | SFH420 |
Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
G
GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
G
Gute Linearitt (
I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strmen
G
Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb mglich
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Hohe Impulsbelastbarkeit
G
Oberflchenmontage geeignet
G
Gegurtet lieferbar
G
SFH 420 Gehusegleich mit SFH 320/421
SFH 425 Gehusegleich mit SFH 325/426
G
SFH 425: Nur für IR-Reflow-Ltung geeignet.
Bei Schwalltung wenden Sie sich bitte an uns.
Features
G
Very highly efficient GaAs-LED
G
Good Linearity (
I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
G
DC (with modulation) or pulsed operations
are possible
G
High reliability
G
High pulse handling capability
G
Suitable for surface mounting (SMT)
G
Available on tape and reel
G
SFH 420 same package as SFH 320/421
SFH 425 same package as SFH 325/426
G
SFH 425: Suitable only for IR-reflow
soldering. In case of dip soldering, please
contact us first.
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehuse
GaAs Infrared Emitter in SMT Package
SFH 420
SFH 425
Ma
β
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GPL06880
1.1
0.9
2.54
spacing
(2.4)
2
2
4
3
(2.85)
0
4.2
3.8
(
3
3
(R1)
Collector/Cathode marking
Cathode/
Collector
Anode/
Emitter
f
f
GPL06724
(typ)
0.7
0.9
1.7
2.1
0.12
Cathode/Collector
0.18
0
1
3
3
0.4
0.6
2.6
2.3
3.0
2.1
Cathode/Collector marking
Approx. weight 0.03 g
3
3
2
0.8
0.6
0.1
SFH 420 TOPLED
SFH 425 SIDELED
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFH425 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package |
| SFH421 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package |
| SFH426 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package |
| SFH431 | INFRARED EMITTER |
| SFH435 | GaAs INFRARED EMITTER DOUBLE EMITTING DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SFH420_01 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:GaAs Infrared Emitter in SMT Package |
| SFH4200 | 功能描述:EMITTER IR 950NM HI-SPEED SMD RoHS:否 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強(qiáng)度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長(zhǎng):940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR) |
| SFH4200-Z | 制造商:OSRAM 功能描述:IR EMITTER SMD |
| SFH4202 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
| SFH4203 | 功能描述:EMITTER IR 950NM HI-SPEED SMD RoHS:否 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強(qiáng)度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長(zhǎng):940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR) |
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