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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SFD30N06 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | N溝道MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1013K |
| 代理商： | SFD30N06 |
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0
10
1
150
℃
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250μs Pulse Test
※
25
℃
I
D
[
V
SD
[V], Source-Drain voltage
2
4
6
8
10
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
1. V
DS
= 25V
2. 250μs Pulse Test
※
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
Notes :
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
※
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
Note : I
※
D
= 30.0 A
V
G
,
Q
g
, Total Gate Charge [nC]
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
60
80
100
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
※
J
= 25
℃
R
D
,
D
I
D
, Drain Current [A]
3/7
Fig 3. On Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Fig 4. On State Current vs.
Allowable Case Temperature
Fig 5. Capacitance Characteristics
Fig 6. Gate Charge Characteristics
S FD30N06
Fig 1. On-State Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
0
5
10
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
15
20
25
30
35
0
500
1000
1500
2000
C
rss
C
oss
C
iss
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. f=1MHz
※
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
C
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