參數(shù)資料
型號： SDE25X26A2
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： OSC 5V SMT 7X5 CMOS PROGRM
中文描述： 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8
封裝： PLASTIC, DIP-8
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： SDE25X26A2
SDE 2526
Semiconductor Group
88
Diagrams
Figure 1
Operation States of the
I
2
C Bus
相關(guān)PDF資料
PDF描述
sde 2526 Nonvolatile Memory 2-Kbit EEPROM with IIC Bus Interface with Extended Temperature Range(2-K位EEPROM(帶IIC總線接口,擴(kuò)展溫度范圍))
SDE25X26-5A2G OSC 5V SMT 7X5 CMOS PROGRM
SDE2526-5 Nonvolatile Memory 2-Kbit E2PROM with I2C Bus Interface with Extended Temperature Range
SDE2526-5A2G Nonvolatile Memory 2-Kbit E2PROM with I2C Bus Interface with Extended Temperature Range
SDH10KS High Density,High Voltage,Standard Recovery Rectifier(反向電壓10000V，溫度25℃時平均正向電流2.5A,高密度,高電壓,標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)整流器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SDE6603-100M 功能描述:固定電感器 10@ 100 KHz20% Tol. SRF (MHz) Typ.35 RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
SDE6603-100M 制造商:Bourns Inc 功能描述:POWER INDUCTOR
SDE6603-101M 功能描述:固定電感器 100@ 100 KHz20% Tol. SRF (MHz) Typ.9 RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
SDE6603-101M 制造商:Bourns Inc 功能描述:POWER INDUCTOR
SDE6603-102M 功能描述:固定電感器 1000@100 KHz20% Tol. SRF (MHz) Typ.2 RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
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