參數(shù)資料
型號： S9S08SC4E0CTG
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 16/31頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 8BIT 4KB FLASH 16TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 96
系列： S08
核心處理器： S08
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： LIN，SCI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 12
程序存儲器容量： 4KB（4K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 4.5 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
包裝： 管件
Chapter 3 Electrical Characteristics
MC9S08SC4 MCU Series Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
23
3.12
Flash Specifications
This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the FLASH memory.
Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply. For more detailed
information about program/erase operations, see the Memory section.
Table 3-14. FLASH Characteristics
Num
C
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
1
—
Supply voltage for program/erase
Vprog/erase
4.5
—
5.5
V
2
—
Supply voltage for read operation
VRead
4.5
—
5.5
V
3
—
Internal FCLK frequency1
1
The frequency of this clock is controlled by a software setting.
fFCLK
150
—
200
kHz
4
—
Internal FCLK period (1/fFCLK)tFcyc
5
—
6.67
μs
5
—
Byte program time (random location)2
2 These values are hardware state machine controlled. User code does not need to count cycles. This information supplied for
calculating approximate time to program and erase.
tprog
9tFcyc
6
—
Byte program time (burst mode)2
tBurst
4tFcyc
7
—
Page erase time2
tPage
4000
tFcyc
8
—
Mass erase time2
tMass
20,000
tFcyc
9C
Program/erase endurance3
TL to TH = –40°C to +125°C
T = 25
°C
3 Typical endurance for FLASH is based on the intrinsic bit cell performance. For additional information on how Freescale
defines typical endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619/D, Typical Endurance for Nonvolatile Memory.
nFLPE
10,000
—
100,000
—
cycles
10
C
Data retention4
4 Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated
to 25
°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale defines typical data retention, please refer
to Engineering Bulletin EB618/D, Typical Data Retention for Nonvolatile Memory.
tD_ret
15
100
—
years
ipg_clk
tCYC
EXTERNAL
CLOCK
INPUT
CAPTURE
tTEXT
tTCLKH
tTCLKL
tICPW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S9S08SG32E1WTGR IC MCU 8BIT 32KB FLASH 16TSSOP
S9S08SG4E2MSC MCU 4K FLASH 8-SOIC
S9S08SL16F1MTLR IC MCU 8BIT 16KB FLASH 28TSSOP
S9S12HA32J0CLL IC MCU 16BIT 32KB FLASH 100LQFP
S9S12HY48J0CLL IC MCU 16BIT 48KB FLASH 100LQFP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S9S08SC4E0CTGR 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:8BIT 4K FLASH, 256 RAM - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:IC MCU 8BIT 4K FLASH 16TSSOP
S9S08SC4E0MTG 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 4K FL 256 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
S9S08SC4E0MTGR 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 4K FL 256 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
S9S08SG16E1CTG 功能描述:8位微控制器 -MCU S08 16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
S9S08SG16E1CTGR 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Microcontroller 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:S08 16K FLASH - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:8-bit Microcontrollers - MCU S08 16K FLASH
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*