參數(shù)資料
型號: S71PL032J80BFW053
廠商: SPANSION LLC
元件分類: 存儲器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
封裝: 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-56
文件頁數(shù): 12/188頁
文件大小: 5078K
代理商: S71PL032J80BFW053
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁當(dāng)前第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁
February 25, 2004 pSRAM_EtronTech_06A2
109
Prelimin ary
AC Characteristics
Table 31. DC Characteristics (TA = -25°C to 85°C, VDD = 2.6 to 3.3V)
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITION
MIN
MAX UNIT
IIL
Input Leakage Current
VIN = VSS to VDD
-1
1
A
ILO
Output Leakage Current
VIO = VSS to VDD
CE1# = VIH, CE2 = VIL or
OE# = VIH or WE# = VIL
-1
1
A
ICC1
Operating Current @ Min Cycle Time
Cycle time = Min., 100% duty,
IIO = 0mA, CE1# = VIL, CE2 = VIH,
VIN = VIH or VIL
-
35
mA
ICC2
Operating Current @ Max Cycle Time
Cycle time = 1
s, 100% duty
IIO = 0mA, CE1# ≤ 0.2V,
CE2
≥ VDD -0.2V, VIN ≤ 0.2V
or VIN ≥ VDD -0.2V
-
5
mA
ISB1
Standby Current (CMOS)
CE1# = VDD – 0.2V and
CE2 = VDD – 0.2V,
Other inputs = VSS ~ VCC
-
100
A
ISBD
Deep Power-down
CE2
≤ 0.2V, Other inputs = VSS ~ VCC
10
A
VOL
Output Low Voltage
IOL = 2.1mA
-
0.4
V
VOH
Output High Voltage
IOH = -1.0mA
2.4
-
V
Table 32. AC Characteristics and Operating Conditions (TA = -25°C to 85°C, VDD = 2.6 to 3.3V)
Cycle
Symbol
Parameter
70
Unit
Min
Max
Re
ad
tRC
Read Cycle Time
70
-
ns
tAA
Address Access Time
-
70
ns
tCO1
Chip Enable (CE#1) Access Time
-
70
ns
tCO2
Chip Enable (CE2) Access Time
-
70
ns
tOE
Output Enable Access Time
-
35
ns
tBA
Data Byte Control Access Time
-
70
ns
tLZ
Chip Enable Low to Output in Low-Z
10
-
ns
tOLZ
Output Enable Low to Output in Low-Z
5
-
ns
tBLZ
Data Byte Control Low to Output in Low-Z
10
-
ns
tHZ
Chip Enable High to Output in High-Z
-
25
ns
tOHZ
Output Enable High to Output in High-Z
-
25
ns
tBHZ
Data Byte Control High to Output in High-Z
-
25
ns
tOH
Output Data Hold Time
10
-
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S71PL032J80BFW054 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
S72NS128RD0AHBG40 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA133
S72NS128RD0AHBL00 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA133
S75PL127JCFBFWB0 Power supply woltage of 2.7 to 3.1 volt
S75PL127JCFBFWB3 Power supply woltage of 2.7 to 3.1 volt
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S71PL032J80BFW0Z0 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032J80BFW0Z2 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032J80BFW0Z3 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032J80BFW9Z0 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032J80BFW9Z2 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs