參數(shù)資料
型號： S6010DS256
元件分類： 晶閘管
英文描述： SCR, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTC, TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： S6010DS256
240
Revised: July 9, 2008
2008 Littelfuse, Inc.
Teccor
brand Thyristors
10 Amp Sensitive & Standard SCRs
Please refer to http://www.littelfuse.com for current information.
Sxx10xSx & Sxx10x Series
Specifications are subject to change without notice.
Absolute Maximum Ratings — Standard SCRs
Symbol
Parameter
Test Conditions
Value
Unit
I
T(RMS)
RMS on-state current
Sxx10L
Sxx10R
Sxx10D
Sxx10V
single half cycle; f = 50Hz;
T
(initial) = 25°C
single half cycle; f = 60Hz;
T
J
(initial) = 25°C
t
p
= 8.3 ms
T
C
= 100°C
10
A
T
C
= 110°C
I
TSM
Peak non-repetitive surge current
83
A
100
I
2
t
I
2
t Value for fusing
41
A
2
s
di/dt
Critical rate-of-rise of on-state current
f = 60 Hz T
J
= 125°C
100
A/μs
I
GM
Peak gate current
T
J
= 125°C
2
A
P
G(AV)
Average gate power dissipation
T
J
= 125°C
0.5
W
T
stg
T
J
Storage temperature range
-40 to 150
°C
Operating junction temperature range
-40 to 125
°C
Note: xx = voltage
Electrical Characteristics
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
– Sensitive SCRs
Symbol
Test Conditions
Value
Unit
Sxx10xS2
200
Sxx10xS3
500
I
GT
V
GT
dv/dt
V
GD
V
GRM
I
H
t
q
t
gt
V
D
= 6V R
L
= 100
8
MAX.
MAX.
TYP
MIN.
MIN.
MAX.
MAX.
TYP
μA
V
V/μs
V
V
mA
μs
μs
0.8
8
0.2
6
V
D
= V
DRM
; R
GK
= 1k
8
; T
J
= 110°C
V
D
= V
DRM
; R
L
= 3.3 k
8
; T
J
= 110°C
I
GR
= 10μA
I
T
= 20mA (initial)
(1)
I
G
= 2 x I
GT
; PW = 15μs; I
T
= 12A
6
50
4
8
45
5
NOTE: xx = voltage, x = package
(1) I
T
=2A; t
p
=50μs; dv/dt=5V/μs; di/dt=-30A/μs
Symbol
Test Conditions
Value
Sxx10x
15
1.5
350
300
250
100
250
225
200
0.2
30
35
2
Unit
I
GT
V
GT
V
D
= 12V R
L
= 60
8
MAX.
MAX.
mA
V
dv/dt
V
D
= V
DRM
; gate open; T
J
= 100°C
400V
600V
800V
1000V
400V
600V
800V
MIN.
V/μs
V
D
= V
DRM
; gate open; T
J
= 125°C
V
GD
I
H
t
q
t
gt
V
D
= V
DRM
; R
L
= 3.3 k
8
; T
J
= 125°C
I
T
= 200mA (initial)
(1)
I
G
= 2 x I
GT
; PW = 15μs; I
T
= 20A
MIN.
MAX.
MAX.
TYP
V
mA
μs
μs
NOTE: xx = voltage, x = package
(1) I
T
=2A; t
p
=50μs; dv/dt=5V/μs; di/dt=-30A/μs
Electrical Characteristics
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
– Standard SCRs
相關PDF資料
PDF描述
S6010DS356 SCR, TO-252AA
S60L120 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
S8002CPCC-5.0000 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 5 MHz, HCMOS OUTPUT
S8002CSCF-FREQ2 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 40 MHz - 90 MHz, HCMOS OUTPUT
S8002HSCE-FREQ2 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 50 MHz - 90 MHz, HCMOS OUTPUT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
S6010DS2RP 功能描述:SCR 10A 600V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
S6010DS2TP 功能描述:SCR 10A 600V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
S6010DS3 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A)
S6010DS3RP 功能描述:SCR 10A 600V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
S6010DS3TP 功能描述:SCR 10A 600V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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