參數(shù)資料
型號: S29JL032H70TAI021
廠商: Spansion Inc.
英文描述: 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
中文描述: 32兆位CMOS 3.0V閃存
文件頁數(shù): 34/66頁
文件大?。?/td> 1556K
代理商: S29JL032H70TAI021
34
S29JL032H
S29JL032HA11 2005
3
9
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
ただし,プログラム動作中,またはイレーズ動作中に
DQ5
High
になった場合,リセッ
トコマンドをライトすると,バンクはリードモード(または,そのバンクがイレーズサス
ペンドモードであった場合は,イレーズ
-
サスペンド
-
リードモード)にリセットされます。
オートセレクトコマンドシーケンス
ホストシステムからオートセレクトコマンドシーケンスを?qū)g行すると,製造メーカコード
やデバイスコードにアクセスしたり,セクタがプロテクトされているかを調(diào)べることがで
きます。オートセレクトコマンドシーケンスは,リードモード,またはイレーズ
-
サスペ
ンド
-
リードモードとなっているバンク內(nèi)のアドレスにライトすることができます。ただ
し,別のバンクのプログラム動作中またはイレーズ動作中は,オートセレクトコマンドを
ライトしないでください。
アンロックサイクルを
2
回ライトして,オートセレクトコマンドシーケンスを開始します。
次に,バンクアドレスとオートセレクトコマンドを指定する
3
回目のライトサイクルを?qū)g
行します。これにより,バンクはオートセレクトモードになります。システムは,コマン
ドシーケンスを再実行しなくても,任意の回數(shù),オートセレクトコードをリードすること
ができます。
アドレスおよびデータ條件を表
13
に示します。セクタプロテクトに関する情報を調(diào)べる
には,正しいバンクアドレス(
BA
)とセクタアドレス(
SA
)をライトする必要がありま
す。アドレス範囲,およびバンク番號とそのセクタを表
3
および表
4
に示します。
リードモード(または,バンクがイレーズサスペンドモードであった場合は,イレーズ
-
サスペンド
-
リードモード)に戻るには,リセットコマンドをライトする必要があります。
Enter SecSi Sector / Exit SecSi Sector
コマンドシーケンス
SecSi
セクタ領域は,
16
バイト構成のランダムなエレクトロニックシリアル番號(
ESN
を格納するセキュアなデータ領域です。
Enter SecSi Sector
コマンドシーケンス(サイク
3
回)を?qū)g行すると,
SecSi
セクタ領域にアクセスできます。
Exit SecSi Sector
コマ
ンドシーケンス(サイクル
4
回)を?qū)g行するまで,
SecSi
セクタ領域へのアクセスが継続
されます。
Exit SecSi Sector
コマンドシーケンスを?qū)g行すると,デバイスは通常の動作
に戻ります。デバイスが自動プログラムアルゴリズム,または自動イレーズアルゴリズム
を?qū)g行している場合,
SecSi
セクタにはアクセスできません。両コマンドシーケンスのア
ドレスおよびデータ條件を表
13
に示します。また,「
SecSi
(セキュアドシリコン)セ
クタ
フラッシュメモリ領域」も參照してください。ただし,
SecSi
セクタがイネーブルさ
れていると,
ACC
機能とアンロックバイパスモードは使用できません。
バイト
/
ワードプログラムコマンドシーケンス
デバイスは,
BYTE#
端子の狀態(tài)により,ワードまたはバイト単位でプログラムされます。
プログラミングは,
4
バスサイクル動作となります。アンロックライトサイクル(
2
回)の
後に,プログラムセットアップコマンドをライトして,プログラムコマンドシーケンスを
開始します。次に,プログラムアドレスとデータがライトされると,自動プログラムアル
ゴリズムがスタートします。この後,システム側からは制御やタイミングを取る必要はあ
りません。デバイスは,自動的に,プログラムパルスを內(nèi)部生成し,プログラムされたセ
ルマージンを検証します。バイトプログラムコマンドシーケンスのアドレスおよびデータ
條件を表
13
に示します。
自動プログラムアルゴリズムが完了すると,バンクはリードモードに戻り,アドレスはラッ
チされなくなります。システムは,
DQ7
DQ6
または
RY / BY#
により,プログラム動作
の狀態(tài)を調(diào)べることができます。これらのステータスビットについては,ライト動作ステー
タスのセクションを參照してください。
相關PDF資料
PDF描述
S29JL032H70TAI022 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI023 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI210 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI211 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI212 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
S29JL032H70TAI022 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI023 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI210 功能描述:閃存 90NS 3V 32MB 29DL800 TP BT BLCK IC-FEPROM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29JL032H70TAI211 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H70TAI212 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY