參數(shù)資料
型號： S29JL032H60TAI423
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
中文描述： 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48
封裝： MO-142DD, TSOP-48
文件頁數(shù)： 50/66頁
文件大?。?/td> 1556K
代理商： S29JL032H60TAI423
50
S29JL032H
S29JL032HA11 2005
年
3
月
9
日
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
テスト條件
表
15.
テスト仕様
波形切替えのポイント
テスト條件
60
70, 90
単位
出力負(fù)荷
TTL
ゲート
1
個
出力負(fù)荷容量，
C
L
（冶具容量を含む）
30
100
pF
入力パルス立上り時間
/
立下り時間
5
ns
入力パルスレベル
0.0
または
Vcc
V
入力タイミング測定基準(zhǔn)レベル
0.5 Vcc
V
出力タイミング測定基準(zhǔn)レベル
0.5 Vcc
V
2.7 k
W
C
L
6.2 k
W
3.3 V
テスト中
の
デバイス
注：ダイオードは，
IN3064
または相當(dāng)品とします。
11.
図
測定條件
波形
入力
出力
確定
H
L
変化點
L
H
変化點
任意，変化を許容
変化，狀態(tài)未確定
適用せず
中心線は高インピーダンス?fàn)顟B(tài)（
High Z
）
Vcc
0.0 V
0.5 Vcc
0.5 Vcc
図
12.
入力波形と測定レベル
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29JL032H60TFI413 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TFI420 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TFI421 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
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S29JL032H60TFI423 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
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