參數(shù)資料
型號(hào): S29JL032H60TAI222
廠商: SPANSION LLC
元件分類: DRAM
英文描述: 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
中文描述: 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48
封裝: MO-142DD, TSOP-48
文件頁數(shù): 64/66頁
文件大?。?/td> 1556K
代理商: S29JL032H60TAI222
64
S29JL032H
S29JL032HA11 2005
3
9
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
イレーズ
/
プログラミング性能
:
1.
プログラム
/
イレーズ時(shí)間の標(biāo)準(zhǔn)値は下記の條件を想定したものです。
25
°
C
,
V
CC
= 3.0 V
;
100,000
回,チェッカーボードデータパ
ターン
2.
最悪條件(
90
°
C
,
V
CC
= 2.7 V
,
1,000,000
回)の場(chǎng)合。
3.
ほとんどのバイトプログラムは上記の最大プログラム時(shí)間よりも速いため,チッププログラミング時(shí)間の標(biāo)準(zhǔn)値は,上記の最大チッププ
ログラミング時(shí)間よりもかなり短くなります。
4.
自動(dòng)イレーズアルゴリズムのプリプログラミングでは,消去前にすべてのバイトが「
00h
」にプログラムされます。
5.
システムレベルのオーバーヘッドとは,プログラムコマンドのバスサイクルシーケンス(
2
回または
4
回)を?qū)g行するのに要する時(shí)間を
いいます。コマンドの定義については,表
13
を參照してください。
6.
デバイスの最小サイクル許容値は,セクタ當(dāng)たり
100,000
回となっています。
TSOP
端子容量
:
1.
抽出したサンプル。
2.
測(cè)定條件:
T
A
= 25
°C
,
f = 1.0 MHz
パラメータ
標(biāo)準(zhǔn)値(注
1
0.4
最大値(注
2
2
単位
s
備考
セクタイレーズ時(shí)間
消去前の「
00h
」プログラミングを
除く(注
4
チップイレーズ時(shí)間
28
s
バイトプログラム時(shí)間
4
80
μs
システムレベルのオーバーヘッドを
除く(注
5
ワードプログラム時(shí)間
6
100
μs
アクセラレーションバイト
/
ワードプログラム時(shí)間
4
70
μs
チッププログラム時(shí)間
(注
3
バイトモード
12.6
50
s
ワードモード
12
35
アクセラレーションモード
10
30
パラメータシンボル
パラメータの説明
測(cè)定條件
標(biāo)準(zhǔn)値
最大値
単位
C
IN
C
OUT
C
IN2
入力端子容量
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
TSOP
6
7.5
pF
出力端子容量
TSOP
8.5
12
pF
制御端子容量
TSOP
7.5
9
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29JL032H60TAI223 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI310 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI311 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
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